三菱IGBT模塊

A系列特點:a)采用最新的CSTBT硅片技術；b)低飽和壓降Vce(sat)；低開通損耗Eon；低關斷損耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；c)降低柵極電容，柵極驅動功率接近平板型IGBT；d)采用AlN絕緣基層形成優異的熱阻特性，比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的熱阻；e)比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的成本結構，按IEC747-15標準定義溫度和熱阻。用途:低成本設計，適合中、低端型號模塊結構及參數型號模塊結構及參數CM400HA-24A一單元，400A/1200VCM600。 詳細介紹>>